国家知识产权局信息显示,四川富乐华半导体科技有限公司申请一项名为“一种提高DCB覆铜陶瓷基板结合力的制备方法”的专利,公开号CN122344117A,申请日期为2026年5月。
专利摘要显示,本发明公开了一种提高DCB覆铜陶瓷基板结合力的制备方法,通过在共烧结前对铜片进行氧化与微蚀溶解同步发生的预处理得到微蚀薄氧铜片,再经氧化处理得到微蚀厚氧铜片,使其与经激光粗化后的陶瓷基板共烧结后,结合共烧结工艺,提高铜片结合力、产品合格率,以及降低氧化处理能耗,节约成本。
天眼查资料显示,四川富乐华半导体科技有限公司,成立于2022年,位于内江市,是一家以从事其他制造业为主的企业。企业注册资本20000万人民币。通过天眼查大数据分析,四川富乐华半导体科技有限公司参与招投标项目7次,专利信息66条,此外企业还拥有行政许可60个。
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