国家知识产权局信息显示,江苏富乐华半导体科技股份有限公司申请一项名为“一种高强度覆铜陶瓷基板的制备方法”的专利,公开号CN122279494A,申请日期为2026年3月。
专利摘要显示,本发明公开了一种高强度覆铜陶瓷基板的制备方法,涉及覆铜陶瓷基板加工领域。本发明方法主要包括:制备以经过表面处理的碳化硅为增强相的氧化铝陶瓷基板并进行溅镀铜;然后采用三步渐进式激光加工工艺在基板上制备高质量通孔;所述三步激光工艺具体为:首先,在预处理后的基板上按目标孔径进行多圈同心圆路径的切薄,形成预打孔凹坑;其次,对凹坑进行切穿和修边;最后,对孔进行精修,通过优化激光功率、扫描路径和速度,在基板上加工高质量通孔,得到覆铜陶瓷基板。本发明通过材料改性与工艺创新相结合,制得通孔质量高、力学性能优异、可靠性强的覆铜陶瓷基板,适用于高功率、高集成度半导体模块。
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来源:市场资讯