国家知识产权局信息显示，强一半导体（苏州）股份有限公司申请一项名为“低温共烧陶瓷基板及其制备方法”的专利，公开号CN122187470A，申请日期为2026年2月。

专利摘要显示，本申请公开低温共烧陶瓷基板及其制备方法。所述制备方法包括如下步骤：S1）制备原料：所述原料按照质量百分比，包括：玻璃粉体：40%~65%；氧化铝粉体：10%~50%；磷酸钨锆陶瓷填料：5%~50%；S2）将所述原料混合，并加入有机载体，制成流延浆料，将所述流延浆料通过流延成型制成生瓷带；S3）将所述生瓷带叠层、等静压后进行程序升温排胶，以去除有机成分，在850℃~900℃下烧结，以制得所述低温共烧陶瓷基板。所述基板具有优异的低CTE调节能力，良好的材料兼容性（在烧结过程中可能与玻璃相发生剧烈反应，恶化材料性能）和出色的高频介电性能。

天眼查资料显示，强一半导体（苏州）股份有限公司，成立于2015年，位于苏州市，是一家以从事仪器仪表制造业为主的企业。企业注册资本12955.93万人民币。通过天眼查大数据分析，强一半导体（苏州）股份有限公司共对外投资了4家企业，参与招投标项目54次，财产线索方面有商标信息5条，专利信息357条，此外企业还拥有行政许可20个。

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来源：市场资讯