中国地质大学（武汉）申请自拼接大尺寸单晶钻石衬底专利，实现晶圆级大尺寸的扩展
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2026-06-09 23:09:24
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国家知识产权局信息显示，中国地质大学（武汉）;广州南沙地大滨海研究院;惠州市聚飞光学材料有限公司申请一项名为“一种自拼接大尺寸单晶钻石衬底及其制造方法”的专利，公开号CN122180369A，申请日期为2026年3月。
专利摘要显示，本发明提供了一种自拼接大尺寸单晶钻石衬底及其制造方法，属于单晶钻石技术领域，包括以下步骤：在单晶钻石的非拼接面原位打印光处理树脂阻挡层；对单晶钻石的拼接面进行机械研磨；将单晶钻石的拼接面浸渍于磁性纳米颗粒前驱体分散液中；使待拼接的单晶钻石的拼接面相对，施加特定方向的外部磁场，使待拼接的单晶钻石拼接面对准并紧密贴合；在还原性气氛或真空环境下对拼接后的钻石进行高温退火处理；将拼接后的钻石置于强酸清洗液中，溶解去除钻石表面的残留金属及杂质。本发明利用表面质量优异的小尺寸单晶钻石进行拼接获得大尺寸单晶钻石，既保留了单晶钻石的热学与机械性能，又实现了晶圆级大尺寸的扩展。
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来源：市场资讯
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