电子科技大学重庆微电子产业技术研究院等申请Mg+Nb共掺杂TiO2巨介电陶瓷材料及制备方法专利，获得高介电常数和低介电损耗的巨介电陶瓷材料_科技资讯

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2026-04-03 21:07:45

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国家知识产权局信息显示，电子科技大学重庆微电子产业技术研究院;重庆理工大学;奥松半导体（重庆）有限公司;中船海装风电有限公司申请一项名为“一种Mg+Nb共掺杂TiO2巨介电陶瓷材料及制备方法”的专利，公开号CN121779113A，申请日期为2026年1月。

专利摘要显示，本发明公开了一种Mg+Nb共掺杂TiO2巨介电陶瓷材料及制备方法，属于电子陶瓷材料技术领域。本发明通过Mg+Nb共掺杂TiO2，获得高介电常数和低介电损耗的巨介电陶瓷材料，其介电常数可达104量级，介电损耗低于0.05。本发明制备方法简单，成本低，适合工业化生产。

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来源：市场资讯

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