积成光芯申请半导体或陶瓷块材内部多层金属布线结构和制备方法专利，解决现有半导体或者陶瓷中形成多层金属布线过程中制作工艺温度过高的问题_科技资讯

积成光芯申请半导体或陶瓷块材内部多层金属布线结构和制备方法专利，解决现有半导体或者陶瓷中形成多层金属布线过程中制作工艺温度过高的问题

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2026-08-12 00:35:56

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国家知识产权局信息显示，深圳市积成光芯半导体有限公司申请一项名为“一种半导体或陶瓷块材内部多层金属布线结构和制备方法”的专利，公开号CN122555480A，申请日期为2026年4月。

专利摘要显示，本发明公开一种半导体或陶瓷块材内部多层金属布线结构和制备方法，其中结构包括依次键合堆叠的多层堆叠结构，每层的堆叠结构包括半导体或陶瓷块材，所述半导体或陶瓷块材内部具有沟槽，所述沟槽内填充有金属材料，所述金属材料形成金属布线层，所述金属布线层上覆盖有键合层，所述键合层平铺在所述半导体或陶瓷块材表面用于与上层堆叠结构键合，所述半导体或陶瓷块材、金属布线层与键合层构成单层的堆叠结构。本发明避免采用传统的粉末共烧工艺，避免采用高温工艺，解决现有半导体或者陶瓷中形成多层金属布线过程中制作工艺温度过高的问题。

天眼查资料显示，深圳市积成光芯半导体有限公司，成立于2023年，位于深圳市，是一家以从事其他制造业为主的企业。企业注册资本500万人民币。通过天眼查大数据分析，深圳市积成光芯半导体有限公司拥有行政许可2个。

声明：市场有风险，投资需谨慎。本文为AI基于第三方数据生成，仅供参考，不构成个人投资建议。

来源：市场资讯

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