培育钻石正在成为AI热潮中的受益者。

近日，麻省理工研发金刚石封装氮化镓芯片，突破散热瓶颈，打造出高性能功放，适配6G与卫星互联网场景。

搭载金刚石散热的无线器件，多项核心性能刷新了行业的水平。

凭借热门题材的加持，培育钻石概念股大涨。

其中，惠丰钻石涨超12%，黄河旋风涨停，四方达涨超7%，力量钻石、沃尔德涨超4%，中兵红箭、国机精工跟涨。

金刚石散热升温

受供需变化的影响，培育钻石价格出现了断崖式的下跌。

据统计，曾经1克拉的高品质培育钻石价格已从2020年的8000元跌至如今的3500元。

到现在，培育钻石不仅仅局限于传统的珠宝首饰赛道，也成为了算力产业链里的重要新材料。

众所周知，培育钻石的核心原材料是人工金刚石。

金刚石因为其高硬度、耐高温、导热与电子迁移性能优异等热点，在散热技术、量子计算等领域爆发出强大的潜力。

近日，美国麻省理工学院研究团队通过在氮化镓（GaN）芯片中嵌入超薄单晶金刚石，成功突破了高功率无线芯片的散热瓶颈，并制备出性能创纪录的无线功率放大器，为6G通信、卫星互联网等高功率电子设备提供了新型芯片级热管理方案。

今年1月，英伟达宣布下一代Vera Rubin架构GPU将全面采用“金刚石铜复合材料+液冷”方案。

2月，全球首台搭载钻石冷却技术的英伟达H200服务器交付商用。

3月，Akash Systems推出搭载AMD MI350X GPU的金刚石冷却服务器。

除此之外，国内厂商也已经攻克核心技术，实现了自主量产和商业化出货。

随着国产产能不断提升、工艺持续优化，合成钻石散热材料的成本稳步下降，应用场景也不断拓宽，从原本的军工、航天高端领域，逐步普及到AI算力芯片、民用服务器、消费电子等大众场景。

多家公司深度布局

随着应用的持续落地，金刚石散热走向规模化应用。

2026年被视为金刚石散热产业化元年，全球市场规模预计突破12亿美元，同比增速超200%。

目前金刚石散热主要分为金刚石热沉片、金刚石/金属复合材料等路径。

其中，金刚石铜复合材料因兼顾性能与成本，落地进度最快；同时，全球首批搭载GaN-on-Diamond技术的AI服务器已完成商业化交付。

随着英伟达等巨头将金刚石复合散热列为新一代高功耗AI GPU的标配方案，若按未来AI芯片环节价值量占比8%-10%及20%-30%渗透率测算，2030年金刚石散热市场规模有望达到480亿至900亿元。

目前，国内金刚石上游产业链扩产正在密集落地。

四方达生产的金刚石散热片热导率在2000W/(m·K)以上，主要用于GPU散热。数据显示，GPU用上金刚石GaN载板后，热点温度能降低10℃至20℃，风扇转速砍半，超频能力提升25%，整体温度降低60%，能耗下降40%。

今年2月，惠丰钻石发布公告，拟投资10亿元在包头市昆都仑区建设CVD金刚石项目，其中一期投资约5亿元，主要针对金刚石热沉片、半导体等功能材料及培育钻石的研发与生产。

国机精工金刚石功能化应用正重点拓展散热领域，已形成覆盖金刚石单晶、金刚石多晶及金刚石铜复合材料的产品矩阵。此外，CVD金刚石产品（含单晶与多晶）已进入行业头部客户的验证阶段。

黄河旋风的国内首条8英寸金刚石热沉片生产线于2026年2月正式落成投产，是国内可量产最大尺寸热沉片的企业，重点推进多晶热沉片量产及金刚石铜复合材料布局。

力量钻石变更超10亿元募资投入金刚石功能材料项目，半导体高功率散热片项目一期已投产，全面扩容金刚石单晶/微粉/热沉片全产业链条。

惠丰钻石则投资10亿元建设包头CVD金刚石项目，预计2026年7月起陆续投产，主要生产大尺寸CVD金刚石单晶及AI芯片热沉基板。

东吴证券指出，随着2.5D/3D异构集成技术（如CoWoS、SOIC）的普及，芯片内部的热流密度呈指数级上升。金刚石凭借其无可比拟的物理特性脱颖而出，热导率是铜的5倍以上，是硅的近15倍。金刚石的CTE约为1.1ppm/K，与硅（2.6ppm/K）较为接近，能够有效降低热循环中的热应力。