英特尔技术与制造事业部副总裁、元件研究主管Mike Mayberry今天公布了一份半导体工艺路线图，展示了英特尔在未来几年的制造工艺规划情况。按照这份路线图，英特尔的半导体工艺将继续严格执行Tick-Tock策略，每两年升级一次。目前正在开发的是22nm工艺，预计下半年量产、明年上半年发布。接下来，2013年就会转入14nm，2015年继续进步到10nm。

再往后到了2017年的时候，英特尔将为我们带来7nm，这也是半导体工艺***次进入个位数时代。至于2019年到底采用何种工艺，英特尔仍在研究之中。

半导体制造技术的研究方向

为了保证这种稳定而快速的前进脚步，英特尔时刻都在关注和选择***的半导体制造技术，未来几年的主要研究对象有3-D三栅极晶体管、III-V族复合物、光学互连、计算光刻、高K锗、原材料合成、高密度内存、纳米线等等。

目前的关注重点

互连方面亟待革新

多重选择

十几年下来，英特尔工艺的每次升级都能带来30-40％的进步幅度，强大的研发实力令人羡慕，摩尔定律的神话也一直被延续下来。也许正如英特尔说的那样：“摩尔定律并不是自然规律，而是一种持续创新的期望。”

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