升级到22nm Intel新晶圆厂破例参观(多图)
Intel公司今天宣布，将在美国境内投资60到80亿美元，升级半导体制造技术，并在俄勒冈州兴建一座新的晶圆厂。
根据该计划，Intel将在美国俄勒冈州建立名为Fab D1X的新晶圆厂，预计该厂将于2013年投入研发工作，具体投产日期还未确定。同时，Intel位于美国亚利桑那州的Fab 12、Fab 32，以及位于俄勒冈州的Fab D1C和Fab D1D也将借助这笔投资，升级到22nm制程工艺。预计该项投资将能够制造6000到8000个建筑工业岗位，并在完成后再制造800到1000个***性高技术工作岗位。
Intel表示，目前公司制造处理器的速度相当于每秒钟100亿个晶体管。但相比PC行业今年达到的每天100万台的销售速度，其产能仍然无法满足需求，因此需要进一步的投资来升级技术，扩充产能。据称，新的Fab D1X未来将有能力升级制造450mm晶圆，相比目前***的300mm晶圆进一步提高产量降低成本。不过，该升级计划目前还没有具体时间表。
根据Intel的“Tick-Tock”技术升级路线图，下一个“Tick”将是代号为Ivy Bridge的22nm工艺产品。预计该系列处理器将于2011年下半年投产，2012年初零售上市，此次四座工厂的制程升级很可能就是为这次换代做准备。
[[16240]]
Fab D1X设计图，位于美国俄勒冈州Hillsboro，Intel Ronler Acres 园区
#p#
[[16241]]
Fab D1C，位于美国俄勒冈州Hillsboro
[[16242]]
Fab D1D，位于美国俄勒冈州Hillsboro
[[16243]]
[[16244]]
Fab 32，位于美国亚利桑那州Chandler
#p#
Intel、美光合资闪存制造企业IM Flash Technologies, LLC(IMFT)宣布已经开始试制25bn工艺NAND闪存芯片。除了纸面宣布外，他们实际上还邀请了多家媒体到IMFT位于美国犹他州Lehi的25nm工艺晶圆厂进行参观。
[[16245]]
位于雪山脚下的IMFT工厂
工厂结构，制造半导体产品最关键的无尘室位于第三层，加压吊顶形成由上向下的气流，设备维护工作则在二层的“SubFab”层完成。
[[16246]]
进入无尘室之前的“打包”过程。（由于无尘室内部的严格要求，实际上以下内部照片均来自IMFT官方）
[[16247]]
#p#
晶圆厂内走廊，顶端的自动运输系统（AMHS）正在以每小时13公里的速度将晶圆在各个制造环节间运输，24小时不停歇。每个运载器都打在了一个FOUP（前端开口片盒），其中可装载最多25片300mm晶圆。
[[16248]]
厂内地面全部打孔，保证空气从上向下流通，将落尘可能减到最小。
[[16249]]
FOUP片盒挂接在一个制造阶段设备上，后面的那个正在被AMHS吊起。
[[16250]]
[[16251]]
几乎所有制造过程均为自动完成，因此厂内大部分工人的工作就是保证这些设备正常运行。
#p#
[[16252]]
化学机械抛光（CMP）车间
[[16253]]
照明受限的光刻车间
一块光刻掩膜，光刻过程简单的说就是将这块掩膜上图案“缩印”到晶圆上。
光刻过程中的“校准”
#p#
实时缺陷监测（RDA）
FOUP片盒中的300mm晶圆
[[16258]]
PCper记者手持一片25nm工艺300mm晶圆，总容量超过2TB。
#p#
300mm晶圆
每片闪存颗粒die容量为8GB（每格2GB），面积167平方毫米。
#p#
[[16261]]
Intel副总裁，NAND闪存业务总经理Tom Rampone手持25nm颗粒
尺寸对比
#p#
从左到右分别是：
2003年130nm工艺128MB，2005年90nm工艺512MB，2007年50nm工艺1GB，2009年34nm工艺4GB以及现在的25nm工艺8GB闪存。最右侧是标准的TSOP闪存封装尺寸。
使用25nm工艺闪存，只需要单die芯片即可造出Class 10级SD卡。Intel计划，今年将基于该闪存造出***600GB的固态硬盘，而美光甚至计划***推出1TB SSD。
[[16264]]
【编辑推荐】
- 一次UPS设备烧毁的故障分析
- 技术不重要 应按需提供UPS解决方案
- 天上30秒 地下20年——戏说飞轮储能UPS